半导体设备巨头推出全新2nm 及以下尖端逻辑制程的沉积系统

在人工智能算力需求激增的驱动下，半导体制造工艺正加速向2纳米及更先进的“埃级”节点演进。为了应对全环绕栅极（GAA）晶体管架构带来的复杂制造挑战，半导体设备巨头应用材料公司（Applied Materials）于美国当地时间4月8日正式宣布，推出两款专为尖端逻辑工艺设计的沉积设备系统。这两款创新工具旨在解决新一代芯片制造中的关键材料工程难题，目前已被全球领先的逻辑芯片制造商导入2纳米及以下的生产工艺中，标志着芯片制造技术向原子级精度迈出了重要一步。

应用材料表示，GAA 全环绕栅极结构正成为尖端工艺的必然之选，可带来显著的能效提升。不过 GAA 的结构相较 FinFET 也更为复杂，需要超过 500 道工序方能制造，而这其中不少都要用到全新的材料沉积方法。

▲ Applied Producer Precision Selective Nitride PECVD

两款新设备中 Applied Producer Precision Selective Nitride PECVD 是一款等离子体增强化学气相沉积系统，面向分隔相邻晶体管的浅沟槽隔离结构。其采用创新的自下而上选择性沉积工艺，仅在沟槽必要位置向氧化硅绝缘介质上沉积致密的氮化硅层，有助于保护绝缘介质免受后续工序的影响。

▲ Applied Producer Precision Selective Nitride PECVD

而 Endura Trillium ALD 则是一款为 GAA 优化的原子层沉积设备，其可构建具有原子级均匀性的复杂金属栅极结构，允许晶圆厂灵活地调节不同晶体管的阈值电压，通过精密的沉积厚度控制塑造满足客户多样化参数要求的 GAA 晶体管。

▲ Endura Trillium ALD

资料显示，应用材料公司（Applied Materials, Inc.）成立于1967年，是全球半导体、显示及相关产业材料工程解决方案的绝对领导者。作为全球最大的纳米制造技术企业，应用材料几乎参与了全球每一块新生产芯片和先进显示器的制造过程。公司拥有超过22,000项专利，业务遍布全球24个国家和地区，为台积电、英特尔、三星等行业巨头提供核心设备与服务。2025财年，应用材料实现了283.7亿美元的历史最高营收，连续六年保持增长。凭借在原子级层面改变材料的深厚技术积累，应用材料始终致力于通过材料创新推动全球科技变革。