随着市场需求大幅增加，三星电子拟时隔五年重启NAND闪存大规模产能投资！

我爱方案网4月17日消息，全球半导体巨头三星电子正计划对其 NAND 闪存业务进行重大战略调整，有望在时隔五年后再度启动大规模的新产能投资。

该计划的核心内容是在其平泽 P5 晶圆厂内规划建设一条全新的 NAND 生产线。这一决策标志着三星在存储器业务上的资源分配将发生重大转变，此前自 2022 年平泽 P3 工厂投产后，公司的资本支出重心长期侧重于 DRAM 领域。

当前 NAND 市场供显著小于求，推高了产品定价；且随着 AI 产业的发展，客户对高性能大容量 SSD 的需求还将进一步提升。

平泽 P5 是一座 3 层的大型晶圆厂，每层拥有 2 个洁净室，因此总共有 6 个阶段 (PH)。三星电子考虑将 P5 的一个 PH 用于 NAND 制造；P5 PH1 则将服务于 1c nm DRAM 工艺。报道提到，三星电子还有意在 P5 附近再建设一座相同结构的 6 阶段大型晶圆厂。

此次战略回调的直接动因在于当前 NAND 市场已呈现出显著的供不应求态势，推动了产品定价的持续走高。与此同时，人工智能产业的蓬勃发展正催生对高性能、大容量固态硬盘（SSD）的强劲需求，为 NAND 闪存市场提供了明确的增长预期。

作为三星电子下一代半导体制造的核心设施，平泽 P5 晶圆厂被设计为一座拥有三层结构的大型综合体，内部规划了总计六个生产阶段（PH）。根据现有规划，三星电子拟将其中一个 PH 专门用于 NAND 闪存的制造，而 P5 的 PH1 阶段则将专注于 1c nm 制程的 DRAM 工艺，以服务于高带宽存储器（HBM）等 AI 相关产品。

这一布局不仅体现了三星在单一厂区整合多种尖端工艺的雄心，也反映了其应对多元化市场需求的灵活性。此外，报道还指出，着眼于更长远的产能储备，三星电子有意在 P5 工厂附近再兴建一座结构相同的六阶段大型晶圆厂，以进一步巩固其在未来全球半导体供应链中的主导地位。