密度提升50%，三星10nm DRAM成功生产！

我爱方案网4月27日消息，据报道，三星已成功生产出全球首款采用10nm以下制程工艺的"独立运行"DRAM芯片。

长期以来，DRAM行业一直依赖10nm级制程工艺生产集成电路。10nm DRAM技术涵盖1x、1y、1z、1a、1b、1c、1d等多个世代。如今，三星正在研发全新的"10a"制程，将正式突破10nm的工艺极限，迈入个位数纳米时代。

据悉，三星电子已成功生产出全球首颗个位数纳米DRAM可运行晶圆（working die）。有报道称，公司计划根据该可运行晶圆的特性检测结果，持续调整制程条件，以快速提升量产良率。

据业内消息人士透露，三星电子在上个月以10a制程生产晶圆并完成晶粒特性检测的过程中，确认了可运行晶圆的存在。这是业界首次应用4F²方形晶胞结构与垂直沟道晶体管（VCT）制程的成果。

经分析，10a制程的工艺节点将缩减至9.5至9.7nm，成为业界首个真正突破10nm的DRAM制程技术。实现这一突破的两大关键技术变革，正是上述的"4F²方形晶胞结构"与VCT制程。

目前，三星预计将于今年内完成10a DRAM的开发，量产时间定于2028年。这一全新结构将率先在10a节点落地，并在后续的10b、10c世代中持续优化迭代。而10d DRAM则将转向3D DRAM技术，预计于2029至2030年推出。