易创新发布三款三相栅极驱动器，电机驱动版图再扩容

我爱方案网5月19日消息，国内半导体龙头企业兆易创新正式推出三款全新的三相无刷电机专用栅极驱动器——GD30DR1001、GD30DR1401以及GD30DR1901。此次新品精准覆盖40V至600V的主流电压平台，以高集成度和强可靠性为消费电子及工业设备等领域提供了一站式解决方案。目前，这三款芯片已全面实现量产并开放样品申请，标志着兆易创新在电机驱动芯片领域的布局进一步深化。

随着智能设备、电动工具及工业自动化对电机控制性能要求的不断提升，系统设计正面临更高的效率、可靠性与集成度挑战。兆易创新此次推出的三款模拟器件均基于三相独立半桥架构，兼容3.3V/5V逻辑输入，支持直接驱动MOSFET或IGBT功率器件，在简化系统设计的同时，有效降低整体BOM成本和开发复杂度。

其中，GD30DR1001是一款驱动P/N MOSFET功率管40V三相栅极驱动芯片，工作电源电压5.5V~40V，兼容3.3V/5V输入逻辑，集成5V LDO带载电流50mA，可为芯片内部逻辑和外部MCU供电。芯片内部集成欠压保护/输入直通保护等多种保护功能，内置60ns死区时间，并采用高度集成的SOP16/QFN16封装。该型号适用于落地风扇、空气净化器、小型泵阀等直流无刷电机应用。

GD30DR1401是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片，专为驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或GaN而设计，悬浮偏移电压+120V，兼容3.3V/5V输入逻辑，集成5V LDO带载电流100mA以及12V的控制电路，输出电流能力IO+2.0A/-2.5A。内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于服务器风机、民用无人机、电动工具、园林工具、清洁电器、厨房电器等应用。

GD30DR1901同样集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片，可驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或IGBT，悬浮偏移电压+600V，兼容3.3V/5V输入逻辑，集成5V LDO带载电流50mA，内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于个人护理、白色家电、工业变频器、高压风机/水泵、光伏逆变等应用。

对于产业链上下游而言，产能的保障与技术的落地同样重要。此次发布的GD30DR1001、GD30DR1401及GD30DR1901并非仅仅停留在概念阶段，而是已经做好了充分的市场准备。目前，这三款全新栅极驱动器均已实现规模化量产，并全面开放样品申请。这意味着相关领域的开发者可以立即获取样品进行测试与评估，快速将新技术导入实际项目中。随着这批新品的加入，兆易创新的电机驱动芯片版图得到了进一步扩充，也展现了其在半导体领域持续深耕、不断突破的技术实力。