美光HBM4产能爬坡提速，全面赋能英伟达下一代AI平台

我爱方案网5月25日消息，美光科技全球运营副总裁玛尼什·巴提亚表示，美光第六代高带宽内存（HBM4）的产能爬坡速度是去年的HBM3 12层产品的两倍，良率正在更快地改善。该产品将装载于英伟达的AI运算平台Verra Rubin上。

随着AI大模型参数量的指数级增长，传统内存带宽已难以满足GPU等加速器的海量数据吞吐需求。作为全球AI算力龙头，英伟达即将推出的下一代AI运算平台“Vera Rubin”对内存性能提出了极其严苛的要求。在此背景下，作为核心供应商之一的美光科技，其HBM4产品的量产进度与良率表现，直接关乎英伟达新一代AI平台的交付节奏与市场竞争力。

作为英伟达AI运算平台Vera Rubin的核心内存组件，美光HBM4在性能指标上实现了代际跨越。该产品专为无缝集成下一代AI平台而设计，引脚速率超过11 Gb/s，带宽突破2.8 TB/s。与上一代HBM3E相比，HBM4的带宽提升了2.3倍，能效提升超过20%。这种极致的带宽与能效表现，将有效打破AI训练与推理中的“内存墙”瓶颈，充分释放Vera Rubin平台的恐怖算力。

在全力保障HBM4供应的同时，美光并未止步。巴提亚同时宣布，下一代HBM4E产品的开发进展顺利，预计将于明年（2027年）正式启动量产。

值得注意的是，HBM4E将引入更激进的技术革新。其核心芯片计划采用更先进的10纳米级第六代1γ工艺，这也是美光首次在该工艺中导入ASML极紫外光刻（EUV）设备。在基底芯片方面，美光策略将迎来重大调整，不再自行生产，而是交由台积电代工。这一转变不仅能让美光利用台积电最先进的逻辑制程工艺，更为未来推出面向特定AI工作负载的定制化HBM4E产品打开了广阔空间。