联电：美国厂12nm工艺将于2027年开始量产

我爱方案网5月28日消息，据工商时报报道，联电于昨日召开股东会，除通过每股配发2.6元现金股利外，市场关注焦点更集中在AI、先进封装与全球产能布局进展。联电共同总经理王石表示，在AI、高效能运算（HPC）与高速传输需求带动下，半导体产业正进入新一轮升级循环，联电除持续深化成熟与特殊制程优势，也同步推进美国12nm FinFET平台、先进封装及矽光子等新世代技术布局。

王石表示，目前与Intel合作的12nm FinFET平台已完成技术移转，亚利桑那州厂区正进行制程验证，预计2026年完成验证、2027年正式量产，未来将成为联电重要的美国在地制造据点。法人认为，此次合作不只是单纯技术合作，更象征联电正式切入美国在地供应链体系。

联电去年合并营收达2,376亿元，创历史次高，每股税后纯益3.34元。虽然终端消费市场复苏速度仍偏温和，加上汇率波动与地缘政治干扰，使获利较前一年下滑，但22nm、28nm及特殊制程营收贡献同步创高，显示成熟制程需求结构正持续朝高附加价值应用升级，包括车用、工控、5G、物联网及AI相关应用，仍为主要支撑动能。

在全球布局方面，联电新加坡Fab 12i第三期扩建已正式启用，进一步强化海外制造与供应链韧性。市场认为，在地缘政治与供应链分散趋势下，联电同步强化亚洲与美国布局，有助提升全球客户下单意愿与供应链稳定性。

除晶圆代工布局外，联电也积极跨足先进封装与矽光子等新领域。王石透露，目前主动式中介层（Active Interposer）已与多家客户进行验证，导入深沟槽电容技术的2.5D封装方案，也已顺利出货给主要客户。市场解读，联电正透过先进封装切入AI晶片高速传输与高频宽应用需求，强化与AI供应链连结。矽光子布局方面，联电已取得imec技术授权，12吋矽光子平台目前正式进入试产阶段。