三星电子推出全球首款采用 32Gb DRAM 的 12 层 HBM4E 样品

我爱方案网5月29日消息，据THEELEC报道，三星电子已交付全球首批基于 32Gb DRAM 的 12 层 HBM4E 样品，标志着下一代 AI 内存竞赛又向前迈进了一步。

该公司于5月29日宣布，已开始向全球客户供应用于人工智能（AI）加速器的第七代HBM4E 12层样品。此前三个月，三星于2月份宣布第六代HBM4开始量产出货。

三星表示，HBM4E 的推出“不仅仅是产品线的扩展”，并补充说，未来几年，这将加强公司在快速增长的全球人工智能基础设施市场的供应能力和技术领先地位。

新发布的 HBM4E 单引脚速度从每秒 14 吉比特到高达 16Gbps 不等，比三星目前量产的 HBM4 最高支持的速度 13Gbps 快 20% 以上。

输入/输出引脚数量与 HBM4 标准保持一致，仍为 2048 个。基于单栈架构，该内存可提供约 3.6 TB/s 至 4 TB/s 的带宽，从而加快高性能 AI 计算系统和大型语言模型 (LLM) 的运行速度。三星现有的 HBM4 内存的峰值带宽为 3.3 TB/s。

容量也得到了提升。这款12层HBM4E产品首次采用堆叠式设计，将12颗32Gb（即4GB）DRAM核心芯片堆叠在一起，容量达到48GB。三星此前曾计划在2023年推出32Gb DDR5 DRAM。现有的HBM4产品采用24Gb DRAM芯片，因此12层容量上限为36GB。三星表示，未来将根据客户需求提供更多配置，包括8层32GB和16层64GB型号。

HBM4E采用三星成熟的第六代10纳米1c DRAM工艺。其基础逻辑芯片也采用三星晶圆代工的4纳米工艺制造。该公司表示，该工艺的良率和可制造性已得到保证，提高了顺利过渡到量产的可能性。

三星表示，通过低功耗设计和封装优化，与HBM4相比，能效提高了16%。热阻特性也改善了14%以上，有助于减少高负载AI计算环境下的发热量，并提高长期可靠性。

三星电子内存业务执行副总裁兼DRAM开发负责人黄相俊表示，公司已顺利完成HBM4的量产和HBM4E的样品供应，未出现任何延误。黄相俊说：“三星电子将继续凭借技术领先优势和对生产基础设施的积极投资，引领全球人工智能内存市场的增长。”

三星表示，公司保持着涵盖存储器、晶圆代工、系统级芯片和先进封装业务的“一站式交钥匙解决方案”，公司认为这增强了供应链的稳定性。

该公司还在扩大目前已量产的HBM4的出货量。三星表示，全球主要客户对该产品的性能给予了积极评价。据报道，HBM4在系统级封装（SiP）测试（最终客户认证阶段）中获得了11.7Gbps的最高评级。