英特尔扩产EMIB封装 推进大规模材料、零部件、设备采购订单

我爱方案网5月29日消息，市场有消息称，英特尔正面向全球供应链合作伙伴推进大规模的“材料、零部件、设备”采购订单，且多项供应合同已正式签订完成。据一位熟悉内情的业内人士透露，此次针对先进封装设备的投资规模高达数万亿韩元。这一巨额资本开支明确指向了英特尔晶圆代工业务的复兴计划，旨在通过扩大先进封装产能，缓解当前AI芯片市场面临的交付瓶颈。

一位熟悉内情的业内人士表示，“目前先进封装设备投资规模达数万亿韩元。”此次投资重点聚焦于扩大“EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多芯片互连桥）”产能。英特尔目前还在推进EMIB技术升级，包括在桥接结构中引入硅通孔（TSV）技术的“EMIB-T”，以及融合玻璃基板的封装方案等。

为了进一步巩固技术护城河，英特尔并未止步于初代EMIB的成功，而是正在全力推进该技术的代际升级。一方面，英特尔推出了融合硅通孔（TSV）技术的进阶版——“EMIB-T”。通过在桥接结构中引入TSV，EMIB-T构建了从封装底部直达芯片的直接供电路径，大幅降低了电阻与电压降，同时将电源传输电阻减少了30%。这种升级使其能够完美适配HBM4等高性能内存的集成需求，预计将成为支撑下一代AI加速器的重要底座。

另一方面，英特尔在封装材料的底层创新上迈出了更为激进的一步，即推进融合玻璃基板的封装方案。传统有机基板在面对超大尺寸AI芯片时，极易出现翘曲和热膨胀不匹配的问题。而英特尔展示的“厚核心玻璃基板”设计，采用独特的10-2-10堆叠架构，不仅实现了无微裂纹的关键突破，更凭借玻璃材质优异的平整度和尺寸稳定性，将互连密度提升了十倍之多。这一方案被英特尔锁定为2030年实现单封装一万亿晶体管目标的核心载体。