东芝推出最新一代U-MOS11-H工艺打造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）在六月底正式宣布，推出基于其最新一代U-MOS11-H工艺打造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该新品专为AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源量身打造，即宣布日起已全面开启出货。面对AI算力爆发带来的功耗压力及通信基础设施对高功率密度、低电磁干扰（EMI）的严苛要求，TPM1R408RH通过深度优化器件结构，在大幅降低导通与开关损耗的同时，从源头抑制了尖峰电压与发热问题，为工业电源系统级的高效、紧凑化设计提供了强有力的底层支撑。

随着AI处理需求持续扩大，数据中心的功耗需求不断增加;同时，通信基础设施的发展也进一步提高了开关电源在高效率、小型化(高功率密度)和低电磁干扰(EMI)方面的要求。由于功率损耗会直接影响系统功耗、发热量和冷却负荷，因此有必要采用具备相应特性的功率半导体，以能平衡降低导通损耗和开关损耗，并有助于实现包括EMI抑制、热设计和安装便利性在内的系统整体优化。

TPM1R408RH采用优化的器件结构，实现了1.4mΩ(最大值)[2]的漏源导通电阻，与采用上一代U-MOS X-H工艺制造的东芝80V产品“TPM1R908QM”相比降低约26%。此外，该产品还改善漏源导通电阻(RDS(ON))与总栅极电荷(Qg)之间的平衡，相较于TPM1R908QM，品质因数RDS(ON)×Qg约降低45%。这些特性达到了业界领先[3]水平的低功耗损耗表现。

TPM1R408RH还可抑制开关过程中在漏极与源极之间产生的尖峰电压，有助于降低开关电源中的EMI。EMI抑制通常需要在设计后期进行返工，而抑制器件本身产生的尖峰电压有助于减少返工，并简化滤波器和缓冲电路。

新产品采用SOP Advance (E) 封装，与东芝现有的SOP Advance (N) 封装相比，封装电阻约降低65%，热阻约降低15%。通过抑制发热并改善散热性能，该封装支持更高输出功率和更紧凑的电源设计。

东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供能够准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。东芝网站上的在线电路仿真器可让用户在网页浏览器中轻松验证电路运行情况，无需搭建仿真环境或下载器件模型。

东芝将继续扩充有助于提升电源效率的功率MOSFET产品线，从而帮助降低工业设备的功耗。未来，东芝将依托自主设计与工艺能力，全面布局硅基（Si）与碳化硅（SiC）全品类功率器件。在硅基低压MOSFET领域，继80V U-MOS11-H系列之后，东芝将进一步把先进工艺扩展至40V产品线，持续突破导通电阻的物理极限；在高压与宽禁带半导体领域，也将持续推进DTMOS VI系列及下一代沟槽栅SiC MOSFET的量产，以更低损耗、更高功率密度的产品矩阵，全面适配AI服务器、数据中心HVDC架构及工业电源的绿色低碳升级需求。

注：

[1] 截至2026年6月，基于东芝低压功率MOSFET工艺。

[2] VGS=10V，ID=50A，Ta=25°C

[3] 截至2026年6月的东芝调研。