1700V PowiGaN加持：PI发布两款超薄参考设计，加速800VDC AI数据中心落地

随着AI算力需求持续飙升，数据中心正加速向800V高压直流架构演进。然而，在NVIDIA Kyber等液冷刀片式机架中，留给辅助电源的垂直空间仅剩8mm，且无独立风冷通道，传统方案难以兼顾耐压、散热与体积。针对这一痛点，深耕高压集成电路领域的Power Integrations（PI）重磅推出两款专为800VDC AI数据中心优化的超薄紧凑型辅助电源参考设计，旨在以高集成度与极致轻薄打破规模化落地瓶颈。

两款参考设计，精准匹配主流驱动架构

PI本次发布的两款方案分别适配不同的主电源拓扑架构，厂商可根据需求精准选型：

• DER-1110（35W六路输出）：面向传统分立半桥架构，提供1路14V/2A主输出及5路14V/0.1A隔离输出，满足上管浮地驱动与初级侧控制IC供电需求。其尺寸为80mm×60mm，厚度控制在8mm以内，元件数仅62颗。

• DER-1114（15W单路输出）：面向新一代集成共地驱动架构，提供12V/1.25A单路输出，尺寸仅为30mm×30mm，厚度仅7mm，元件数精简至33颗，可灵活部署于托盘任意角落。

实测数据显示，相较于传统方案，PI全新设计可节省约30%主板布局空间，BOM元器件数量精简30%。在能效方面，DER-1110满载效率高达88%，DER-1114满载效率达82%，在700VDC至900VDC全输入区间均能保持高效稳定运行。

两大自研技术，筑牢高效率与高集成度根基

这两款设计之所以成为业界标杆，核心在于运用了PI独家自研的1700V PowiGaN氮化镓技术和InnoMux-2智能电源IC架构。

在800VDC母线（实际最高900VDC）下，传统600V-650V GaN器件必须采用多颗串联，而PI的1700V PowiGaN单管方案拥有约70%的降额裕量，无需多器件串联，大幅简化了电路拓扑。同时，InnoMux-2反激式开关IC将1700V GaN开关、初级控制器、同步整流控制器及FluxLink磁感耦合反馈模块高度集成，无需光耦即可实现高精度稳压，并借助SR-ZVS（同步整流零电压开关）技术大幅降低高压工况下的开关损耗。

优化硬件工艺，全方位保障安全运行

在硬件结构上，两款方案均采用创新的PCB平面变压器技术，摒弃传统漆包线绕组，依托12层高精度PCB板铜箔走线集成绕组，从磁性元件层面彻底解决了厚度约束。其中DER-1110还采用单面布局，背面无任何元器件，可紧密贴合冷却板实现被动散热。实测温升数据显示，在25℃常温满载工况下，核心IC最高温升仅25.8℃，完美适配无直接液冷覆盖的散热短板。