发布时间：2026-08-5 阅读量：18 来源: 发布人: bebop
我爱方案网8月5日消息，据路透社报道，三位知情人士称，三星电子、SK 海力士正在评估中国中微半导体设备公司 (AMEC) 的芯片制造设备，以便可能在其中国工厂使用。目前，这两家韩国公司正在对冲美国收紧出口管制的风险。
两位知情人士称，这两家存储芯片制造商大约在两年前开始测试中微半导体的刻蚀设备。当时，美国是否继续允许它们将美国芯片制造设备进口至中国的不确定性不断攀升。
尽管这些评估尚未促成更大规模部署的决定，但它们为中微半导体提供了一个难得的机会，使其有望获得全球领先芯片制造商的认可。往大了说，这些测试凸显出美国技术管制措施核心的一个悖论：旨在遏制中国半导体雄心的举措，反而为中国竞争对手创造了机会，让他们在中国运营的外资晶圆厂中立足。
三星在发给路透社的一份声明中表示，公司没有为了在中国工厂的使用而测试中微半导体的设备，也未考虑过这样做。
截至发稿，SK 海力士不予置评。中微半导体尚未就此置评。
随着 AI 大模型训练与推理算力需求的爆发式增长，AI 数据中心单机柜功耗正持续飙升，行业预测 2030 年机柜供电将全面迈入兆瓦级时代。面对 GPU 等 xPU 芯片瞬时峰值电流突破千安的挑战，传统主板远端电压调节方案在走线损耗、瞬态响应及布线空间上的瓶颈日益凸显。作为电源网络去耦与储能的核心器件，多层陶瓷电容器（MLCC）的性能直接决定了供电系统的上限。全球领先厂商太阳诱电（TAIYO YUDEN）依托纳米陶瓷粉体与超薄电极等独家底层工艺，推出了涵盖大容量贴片、三端子低 ESL 及全球首款 AI 专用铜端子嵌入式 MLCC 的三大产品矩阵，全面适配主板末级 VR、垂直供电及 IVR 等主流架构，从材料、结构与布线三个维度精准击破 AI 服务器的供电痛点
英特尔正通过研发代号“超大型外形尺寸封装”（HLFF）的前沿技术，试图打破传统光刻掩膜的物理边界，将处理器封装尺寸推至 240 毫米 × 240 毫米的惊人规模。这一相当于标准光刻掩膜 24 倍的庞大封装平台，旨在为未来的 AI 加速器与高性能计算设备提供一个能够集成海量专用芯粒与高带宽内存的超级底座。尽管该技术尚未推出成熟的商用产品，但英特尔已在新墨西哥州的先进封装工厂完成了多轮关键验证，证实通过全新的材料、组装工艺及供电散热架构，制造这种超大规模芯片封装的核心技术瓶颈均可被逐一攻克。
2026 年秋季，随着推理正式超越训练成为人工智能最核心的负载，AI 产业正迎来一场由底层硬件驱动的深刻变革。行业共识逐渐清晰：想要突破推理性能的瓶颈，仅靠堆叠高性能芯片已难以为继，必须依托全新架构与内存方案进行系统性创新。在这一背景下，从 OpenAI、英特尔等巨头纷纷推出专属推理芯片，到边缘 AI 市场的加速洗牌，一场围绕算力效率与成本重构的硬件竞赛已全面打响。
2026 年 8 月 4 日，威世科技（Vishay）宣布推出专为红外遥控应用打造的全新 TSOP15300 系列接收器模块。该系列器件打破了传统接收器仅调谐单一中心频率的局限，支持 30 kHz 至 68 kHz 的宽调制频率范围，能够全面接收并解调市场上的主流遥控代码。这一创新设计不仅构成了单组件通用型遥控解决方案，还有效减少了元件数量，从而帮助工程师降低系统成本并节省宝贵的电路板空间。
2026 年 8 月 4 日，Bourns 宣布推出全新 FLP 系列 LTCC（低温共烧陶瓷）低通滤波器，共包含九款型号，专为新一代无线通信设计打造。该系列采用先进的 LTCC 多层陶瓷结构技术，将多个被动组件高度整合于小型单体中，不仅支持 DC 至 3800 MHz 的宽频范围，还能在 -40°C 至 +85°C 的严苛温度下稳定运作，有效协助工程师在缩小 PCB 面积的同时突破尺寸限制，实现更高效、精简的射频电路设计。
