半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件,具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极型功率管,是由双极型三极管 (BJT) 和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。随着新能源汽车、智能家电、5G、轨道交通等行业的兴起,MOSFET和IGBT也迎来了发展的春天。
浏览量 : 1095
发布时间 : 2022-02-17
标签 : 工程师技术分享