第七届第三代半导体材料及装备发展研讨会聚焦国产化突围

聚焦装备国产化攻坚，第七届第三代半导体材料及装备发展研讨会圆满召开

2026年7月17日，第七届第三代半导体材料及装备发展研讨会在北京格兰云天国际酒店隆重召开。本次会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟、宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室主办，中国电子专用设备工业协会协办。大会立足全球半导体产业竞争新格局与国内产业转型核心需求，聚焦第三代半导体装备国产化、材料量产迭代及器件创新应用等关键议题，吸引了来自高校、龙头企业及科研院所的120余位行业专家与技术骨干齐聚现场，共同打造了一个高端化、专业化、实战化的产学研用全产业链对接平台。

直面产业瓶颈，明确装备国产化攻坚方向

会上，第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华在致辞中指出，随着“十五五”产业基础再造工程的稳步推进，AI算力、新能源汽车等赛道需求迎来爆发，国内宽禁带半导体迎来了重大发展机遇。然而，海外技术限制与核心装备短板已成为制约产业发展的瓶颈。他强调，自主装备是产业发展的“工业母机”，国产化攻坚刻不容缓。为此，他提出三点行业发展思路：一是聚焦衬底、长晶、检测等设备卡点，分阶段推进技术攻关；二是深化产学研协同，搭建联合攻关联合体，打通从装备研发到量产验证的闭环；三是紧抓能源与AI市场机遇，推动国产装备从“可用”向“好用”升级。

打通双向通道，推动“材料-装备”协同攻关

中国电子专用设备工业协会秘书长、中电科电子装备集团有限公司高级顾问王志越在致辞中表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车、光伏储能、5G射频及算力基建等战略性新兴产业的关键基础材料。当前产业虽快速扩容，但大尺寸制备、高良率量产、精密外延、切割抛光及检测等专用设备短板依然突出，装备国产化不足严重制约了整体产业的规模化与低成本发展。本次研讨会旨在打通材料研发与装备研制的双向通道，汇聚产业链上下游力量，围绕关键设备深入交流，推动联合攻关与成果转化，助力国产装备从单点突破走向成套供给。

务实落地，夯实全产业链协同发展底座

作为第三代半导体装备领域的标杆性年度行业会议，本次研讨会延续了务实、落地的办会理念。会议全天设置特邀报告与三大专题报告板块，完整覆盖了产业宏观研判、芯片器件应用、大尺寸衬底外延、核心装备国产化四大核心方向。与会专家围绕衬底制备、外延生长、精密加工、在线检测等关键设备分享了前沿工艺与量产经验，有效汇聚了产业链上下游的创新资源。