TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种优势,包括超低输入和输出容值、可降低EMI的低开关节点振铃,以及可将开关损耗降低多达80%的零反向恢复。此器件的集成式栅极驱动器支持100 V/ns开关,实现几乎为零的VDs振铃,其微调栅极偏置电压可通过补偿阈值变化确保可靠切换。此功率级集成了一系列独特的功能,比如图腾柱功率因数校正 (PFC) 结构等密集高效拓扑,让设计人员能够优化电源性能并提高可靠性。
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发布时间 : 2020-04-14
标签 : 知识百科