日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平，该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。
高质量科技论文数量通常被认为与一个机构的科研实力正相关。作为世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，ISSCC（IEEE International Solid-State Circuits Conference）的年度大会论文就是一个重要的观察窗口，每年各个国家和地区以及全球重要的半导体企业入选论文的数量、主题和反映的技术发展趋势都成为圈内热门的话题。
