SK海力士近日发布技术说明,系统阐述了Cu-Cu混合键合在存储产品中的演进路径。该技术通过裸片表面的铜焊盘直接对接实现互连,可将间距压缩至1μm以下(远优于传统微凸块的20μm)。 SK海力士将这项技术指向16层以上HBM、NAND、3D DRAM、AI加速器、高带宽闪存(HBF)、背面供电和CPO等广泛场景,并给出了明确的时间表判断:HBM4仍可在现有工艺上应用混合键合,但HBM4E之后结构与性能约束将显著增强,HBM5则可能全面转向新的封装流程。
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发布时间 : 2026-08-27
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