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从进口替代到技术超越：华北工控RK3576芯片重构智能交通硬件生态

华北工控EMB-3583搭载瑞芯微RK3576处理器，采用四核Cortex-A72+四核Cortex-A53架构，最高主频2.2GHz，内置6TOPS算力的NPU单元，显著提升AI推理效率。

浏览量 : 734 发布时间 : 2025-04-23 标签 : 行业资讯

英特尔发布第二代AI汽车芯片芯粒架构重塑智能汽车技术格局

2025年4月23日，上海车展见证智能汽车核心技术的重大突破。英特尔正式发布第二代AI增强软件定义汽车（SDV）SoC，并宣布与黑芝麻智能、面壁智能等企业建立战略合作，标志着车规级芯片进入"芯粒架构+端侧AI"的新时代。

浏览量 : 782 发布时间 : 2025-04-23 标签 : 行业资讯

兆瓦快充核心器件国产化加速：HVC50接触器的技术突围之路

TDK最新推出的HVC50高压直流接触器采用革命性陶瓷灭弧室设计，通过六氟化硫混合气体介质实现1500V/1000A级直流电的30ms级快速切断能力。相比传统真空灭弧装置，其电弧能量吸收效率提升40%，在-40℃至+85℃极端工况下仍保持可靠分断性能。双线圈节能架构创新性地将稳态功耗降至6W（常规产品普遍＞15W），通过智能时序控制实现200ms线圈自动切换，达成能效与响应速度的完美平衡。

浏览量 : 701 发布时间 : 2025-04-23 标签 : 行业资讯

4.5V/μs压摆率革新工业控制：RS8418系列运放如何突破高速信号响应瓶颈

RS8417/RS8418系列运算放大器通过创新的SR加速设计，将压摆率提升至4.5V/μs，较传统工业级运放（如LM358系列）提升3倍以上，显著缩短信号建立时间（Low/High转换时间<1μs）。

浏览量 : 730 发布时间 : 2025-04-23 标签 : 行业资讯

工业4.0新引擎：Edge AI如何重塑智能制造核心视觉系统

在工业4.0纵深发展的今天，全球制造业正经历着由"云端依赖"向"边缘觉醒"的范式转变。据ABI Research最新报告显示，到2027年，工业边缘AI市场规模将突破178亿美元，其中机器视觉应用占比预计达43%。这一趋势在研华科技即将举办的"Edge AI驱动机器视觉升级峰会"上得到充分印证，会议将深度解构边缘智能如何突破传统云端AI的三大桎梏。

浏览量 : 684 发布时间 : 2025-04-23 标签 : 行业资讯

至纯科技净利润缩水80%：解码半导体设备商的财务风险传导链

2025年4月22日，至纯科技发布业绩修正公告，将2024年净利润预期从9000万-1.35亿元大幅下调至2000万-3000万元，同比缩水92.05%-94.70%（以中值计算缩水80%）；扣非净利润更由正转负，预计亏损4000万-6000万元，同比降幅达139.19%-158.79%。这一调整直接导致其净利润水平跌至近五年最低点，与2023年3.77亿元的净利润形成强烈反差。

浏览量 : 340 发布时间 : 2025-04-23 标签 : 行业资讯

NeuPro-M NPU赋能：下一代ADAS如何实现高效能AI推理

近年来，ADAS技术正经历从规则驱动到数据驱动的范式转变。以Ceva NeuPro-M NPU为例，其支持卷积神经网络（CNN）、视觉转换器（ViT）等多模态模型融合，通过可扩展算力（4-400 TOPS）实现复杂场景下的实时决策，例如在低光照条件下精准识别障碍物特斯拉的端到端FSD系统则通过跨摄像头BEV感知网络，将多路视频流整合为统一空间模型，减少传统模块化架构的误差累积，显著提升城区NOA能力。

浏览量 : 288 发布时间 : 2025-04-23 标签 : 行业资讯

特种行业智能化攻坚进行时：斯贝达DeepSeek模组构建自主可控AI底座

2025年4月9日，由工信部指导、中国电子器材有限公司主办的"DeepSeek特种行业数智化发展论坛"在深圳会展中心召开。这场汇聚百余位行业专家的盛会，不仅展现了中国在AI关键领域的突破性进展，更揭示了特种行业智能化升级的系统性解决方案。

浏览量 : 334 发布时间 : 2025-04-23 标签 : 行业资讯

深度分析：中兴通讯2025Q1财报透视与行业竞争格局

2025年第一季度，中兴通讯实现营业收入329.7亿元，同比增长7.8%，显著高于通信设备行业平均增速（5.3%）。然而，归母净利润24.5亿元同比下降10.5%，扣非净利润降幅达26.1%，反映出成本压力与转型阵痛。值得关注的是，经营性现金流净额18.5亿元同比下降37.9%，主要因供应链采购支出增加，而研发费用59.5亿元虽同比下降6.7%，仍占营收的18%，保持高强度技术投入。

浏览量 : 381 发布时间 : 2025-04-23 标签 : 行业资讯

内存池化革命！SK海力士CXL解决方案破解AI时代三大技术困局

在AI算力需求爆发的2025年，SK海力士凭借其最新发布的CMM-DDR5 96GB CXL 2.0内存模块，再次站上存储技术的制高点。这一突破性成果不仅刷新了内存扩展的性能边界，更通过创新架构解决了数据中心长期面临的成本与效率矛盾。

浏览量 : 218 发布时间 : 2025-04-23 标签 : 行业资讯

车规级电流测量新标杆：TSC1801如何实现0.15%增益误差？

意法半导体推出的TSC1801低边电流测量放大器，通过集成增益设定所需的匹配电阻，大幅简化了电路设计，降低了物料清单成本。其增益误差在-40°C至+125°C全温度范围内可控制在0.15%以下，优于同类竞品如INA240的0.2%最大增益误差。此外，TSC1801的2.1MHz带宽使其在高频电源管理系统中表现卓越，例如在电机控制中实现逐脉冲限流，显著减少转矩波动和机械振动。

浏览量 : 739 发布时间 : 2025-04-22 标签 : 行业资讯

苹果供应链的“沉淀效应”：制造业回流为何步履维艰？

美国前英特尔CEO帕特·基辛格近期指出，苹果若想将iPhone生产线迁回美国，需面对“供应链沉淀”这一核心障碍。所谓沉淀效应，是指围绕核心制造环节形成的配套产业网络，需要数十年时间才能成熟。例如，中国郑州富士康“iPhone城”周边已形成涵盖屏幕、电池、芯片封测等700余个零部件的完整供应链，90%的iPhone组件依赖中国及亚洲供应商。基辛格强调，美国缺乏类似生态，即使苹果在得州建厂，仍需从海外进口电阻器、塑料件等基础部件，导致成本激增。

浏览量 : 690 发布时间 : 2025-04-22 标签 : 行业资讯

PCIM Europe 2025现场直击：罗姆三大黑科技破解电动汽车能效困局

全球能源转型加速推动电力电子技术迭代，SiC（碳化硅）与GaN（氮化镓）作为第三代半导体材料，凭借耐高压、高频高效特性，正在重塑新能源汽车、光伏储能及数据中心等领域的底层技术逻辑。根据Yole Group数据，2025年全球SiC功率器件市场规模将突破40亿美元，GaN器件复合增长率达56%。

浏览量 : 672 发布时间 : 2025-04-22 标签 : 行业资讯

净利润激增23.5%！歌尔股份AI技术突围，苹果COO考察背后的战略野心

2025年第一季度，歌尔股份以营收163.05亿元、归母净利润4.69亿元的成绩单，宣告其全面复苏。同比23.53%的净利润增长，不仅得益于消费电子市场的回暖，更源于AI技术对硬件创新的深度赋能。据Canalys预测，2025年全球智能音频设备出货量将达5.33亿台，歌尔作为核心声学器件供应商，其DPS-F系列扬声器和防声泄露音腔技术已占据高端市场30%份额。

浏览量 : 647 发布时间 : 2025-04-22 标签 : 行业资讯

高精度定位革命：3D霍尔效应传感器在智能驾驶中的核心作用

3D线性霍尔效应传感器通过检测X、Y、Z三轴磁场强度，实现非接触式运动追踪与位置定位。其核心在于集成高精度ADC（模数转换器）和温度补偿算法，例如Diodes公司最新发布的AH4930Q传感器，采用12位分辨率数据转换器，磁场检测精度可达0.1 mT/bit，显著提升旋转角度和接近检测的可靠性。此类技术解决了传统单轴传感器的机械磨损问题，适用于严苛环境下的长期稳定运行。

浏览量 : 553 发布时间 : 2025-04-22 标签 : 行业资讯

高端芯片争夺战升级：解读三星战略转移对存储市场的三重冲击

三星电子近日向客户发出正式通知，计划于2025年4月全面终止1z制程8Gb LPDDR4存储器的生产，并要求客户在6月前完成最后订单提交。这一决策标志着全球存储巨头正式启动产品线"瘦身"计划，将资源集中投向高附加值领域。据TrendForce数据，当前LPDDR5在智能手机市场的渗透率已突破65%，而DDR5在PC领域出货量同比增长超200%，技术迭代速度远超行业预期。

浏览量 : 635 发布时间 : 2025-04-22 标签 : 行业资讯

从LCD到AIoT：京东方科技年报背后的战略转型与全球化野心

2024年，京东方全年实现营业收入1983.81亿元，同比增长13.66%；归母净利润达53.23亿元，同比增幅108.97%，扣非净利润38.37亿元，同比飙升706.6%。这一增长得益于显示业务的结构优化与高附加值产品占比提升。例如，显示器件业务毛利率达12.76%，同比增长4.62个百分点，LCD主流应用出货量稳居全球第一，柔性OLED出货量约1.4亿片，创历史新高。经营活动现金流净额达477.38亿元，同比增长24.64%，印证了其强劲的“造血能力”。

浏览量 : 244 发布时间 : 2025-04-22 标签 : 行业资讯

氮化镓技术再进化：英飞凌如何用G5实现损耗降低60%？

英飞凌最新推出的CoolGaN™ G5中压晶体管，首次将肖特基二极管集成至100V级GaN器件内部，这一设计突破传统分立方案的物理限制。通过AlGaN/GaN异质结形成的二维电子气（2DEG）通道，结合P-GaN层自平衡极化效应，实现了常关型增强模式运作。其3x5 mm PQFN封装内嵌的肖特基结构，直接消除反向恢复电荷（Qrr），使死区损耗降低至传统硅器件的1/5。

浏览量 : 264 发布时间 : 2025-04-22 标签 : 行业资讯