随着全球能源转型加速，功率半导体技术正向高效化、集成化方向突破。英飞凌科技近期推出的650 V CoolGaN™ G5双向开关（BDS），凭借其创新的单片集成设计和双向电流阻断能力，成为氮化镓（GaN）技术领域的里程碑产品。该产品不仅简化了传统背靠背开关架构，还通过高频开关特性显著提升系统功率密度，为解决可再生能源、电动汽车及AI数据中心等场景的能源转换效率难题提供了新方案。
据路透社5月25日报道，英伟达计划针对中国市场推出一款全新AI芯片产品，其定价将大幅低于此前专供的H20型号，预计仅为后者售价的一半。消息人士透露，这款芯片基于英伟达现有服务器级显卡RTX Pro 6000D架构开发，采用GDDR7显存技术，放弃高端HBM3e显存及台积电CoWoS先进封装方案，借此大幅压缩成本。新芯片预计售价区间为6500至8000美元，量产时间定于2024年6月，7月正式进入中国市场。
